|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора MMBT6427Основные параметры биполярного транзистора MMBT6427 - Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 350mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 350mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 50000
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 7 pF
- Производитель: MOTOROLA
- Корпус: SOT23
- Найти datasheet

|
|