|
|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора MRF2010BОсновные параметры биполярного транзистора MRF2010B - Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 35W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 45V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 2A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): ##
- Производитель: MOTOROLA
- Корпус: X82D
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2SD1217 |
Si | npn | 35W | 50V | - | - | 2A | - | 5000 | TO220 | | 2SD1319 |
Si | npn | 35W | 50V | - | - | 2A | - | 1000 | TO251 | | 2SD1325 |
Si | npn | 35W | 50V | - | - | 2A | - | 1000 | TO220 | | 2SD1766 |
Si | npn | 30W | 40V | - | - | 2A | - | 40 (min) | SP0 | | MRF2010 |
Si | npn | 35W | 45V | ## | ## | 2A | ## | ## | X79D | |
|
|
|