Основные параметры биполярного транзистора MRF5711LT1

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 580mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 3V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 3V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 80mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6GHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 50 ... 300
Емкость коллекторного перехода (Cc): 0.4 pF
Производитель: MOTOROLA
Корпус: SOT143
Найти datasheet