|
|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора NKT164Основные параметры биполярного транзистора NKT164 - Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 75mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 9V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 9V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 9V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 25mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3MMHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 50
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 30 pF
- Производитель: NWM
- Корпус: TO5
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| NKT162 |
Ge | pnp | 75mW | 9V | 9V | 9V | 25mA | 8MMHz | 100 | TO5 | | NKT163 |
Ge | pnp | 75mW | 9V | 9V | 9V | 25mA | 5MMHz | 80 | TO5 | | NKT163-25 |
Ge | pnp | 75mW | 9V | 9V | 9V | 25mA | 5MMHz | 80 | TO5 | | NKT164-25 |
Ge | pnp | 75mW | 9V | 9V | 9V | 25mA | 3MMHz | 50 | TO5 | | NKT62 |
Ge | pnp | 75mW | 10V | 10V | 10V | 25mA | 8MHz | 100 | TO5 | | NKT63 |
Ge | pnp | 75mW | 10V | 10V | 10V | 25mA | 2MHz | 80 | TO5 | | NKT64 |
Ge | pnp | 75mW | 10V | 10V | 10V | 25mA | 5MHz | 80 | TO5 | |
|
|
|