Основные параметры биполярного транзистора NKT20339

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 400mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 45V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 ... 160
Емкость коллекторного перехода (Cc): 8 pF
Производитель: NWM
Корпус: TO18
Найти datasheet