Основные параметры биполярного транзистора NSD153

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 10W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 5A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20K (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: NSC
Корпус: TO202
Найти datasheet