Основные параметры биполярного транзистора NTE172A

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 400mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 300mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 7000
Производитель: NTE
Корпус: TO92
Найти datasheet