Основные параметры биполярного транзистора NTE99

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 250W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 600V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 8V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 8V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50A
Предельная температура PN-перехода (Tj): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 25 (min)
Производитель: NTE
Корпус: TO3
Найти datasheet