Справка

Основные параметры биполярного транзистора OC200

• Материал: Si
  
• Структура: pnp
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 250mW
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 20V
  
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 20V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 110°C
  
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.2MHz
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 15 (min)
  
• Емкость коллекторного перехода (Cc): 60 pF
  
• Производитель: N/A
  
• Корпус: TO7
  
• Найти datasheet