Основные параметры биполярного транзистора PTB20081

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 233W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 65V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 4V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 4V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 12A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 470MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 ... 100
Емкость коллекторного перехода (Cc): 25 pF
Производитель: ERICSSON
Корпус: 20212
Найти datasheet