Основные параметры биполярного транзистора PTB20159

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 25W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 55V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 4V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 4V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 600mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 850MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 ... 150
Емкость коллекторного перехода (Cc): 6.2 pF
Производитель: ERICSSON
Корпус: M118
Найти datasheet