Справка

Основные параметры биполярного транзистора RT699AM

• Материал: Si
  
• Структура: npn
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 350mW
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 120V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
  
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50MHz
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 ... 120
  
• Емкость коллекторного перехода (Cc): 20 pF
  
• Производитель: RAYTHEON
  
• Корпус: TO46
  
• Найти datasheet