|
|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора RT717MОсновные параметры биполярного транзистора RT717M - Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 350mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 60V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 ... 60
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 35 pF
- Производитель: RAYTHEON
- Корпус: TO46
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2N2314 |
Si | npn | 350mW | 60V | - | - | 500mA | 40MHz | 20 ... 60 | TO46 | | 2N2315 |
Si | npn | 350mW | 60V | - | - | 500mA | 50MHz | 40 ... 120 | TO46 | | 2SC3983 |
Si | npn | 300mW | 60V | - | - | 450mA | 180MHz | 30 ... 300 | X104 | | 2SC3984 |
Si | npn | 300mW | 60V | - | - | 450mA | 180MHz | 30 ... 120 | TO92 | | 2SC4173 |
Si | npn | 300mW | 60V | - | - | 500mA | - | 70 ... 240 | TO236 | | 2SD1205A |
Si | npn | 400mW | 60V | - | - | 500mA | - | 8000 | X73 | | 2SD1423A |
Si | npn | 300mW | 50V | - | - | 500mA | - | 40 (min) | SOT33 | | 2SD1921 |
Si | npn | 400mW | 50V | - | - | 500mA | 250MHz | 40 (min) | SOT33 | | DTD113ES |
Si | npn | 300mW | 50V | - | - | 500mA | 140MHz | 33 (min) | TO92 | | DTD114ES |
Si | npn | 300mW | 50V | - | - | 500mA | 140MHz | 56 (min) | TO92 | | DTD123ES |
Si | npn | 300mW | 50V | - | - | 500mA | 140MHz | 39 (min) | TO92 | | DTD143ES |
Si | npn | 300mW | 50V | - | - | 500mA | 140MHz | 47 (min) | TO92 | | RT696M |
Si | npn | 350mW | 60V | - | - | 500mA | 40MHz | 20 ... 60 | TO46 | | RT697M |
Si | npn | 350mW | 60V | - | - | 500mA | 50MHz | 40 ... 120 | TO46 | | RT718M |
Si | npn | 350mW | 60V | - | - | 500mA | 50MHz | 40 ... 120 | TO46 | |
|
|
|