Основные параметры биполярного транзистора S2517

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 400W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 600V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 150 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): 1n pF
Производитель: TOSHIBA
Корпус: X99
Найти datasheet