Основные параметры биполярного транзистора 2N50

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 50mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 15V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 1mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 80°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 2 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: HTN
Корпус: X016
Найти datasheet