Основные параметры биполярного транзистора S629T

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 1W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 400V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 8V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 8V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 (min)
Производитель: TELEFUNKEN
Корпус: TO92
Найти datasheet