vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора SFT227

Каталог - Биполярные транзисторы

Основные параметры биполярного транзистора SFT227

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 18V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 18V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 250mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 35mn
Емкость коллекторного перехода (Cc): ## pF
Производитель: MISTRAL
Корпус: TO5
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Матер.	Струк.	Pk	Uкб	Uкэ	Uэб	Iк	ft	hfe	Корпус
2G395	Ge	pnp	150mW	30V	15V	20V	200mA	2MHz	20 (min)	TO5
2G396	Ge	pnp	150mW	30V	20V	20V	200mA	4MHz	30 (min)	TO5
2N1093	Ge	pnp	150mW	30V	15V	15V	250mA	4MHz	50 ... 150	TO5
2N111	Ge	pnp	130mW	30V	15V	20V	200mA	1MHz	25	TO22
2N111A	Ge	pnp	130mW	30V	15V	20V	200mA	1MHz	25	TO22
2N112	Ge	pnp	130mW	30V	15V	20V	200mA	2MHz	30	TO22
2N112A	Ge	pnp	130mW	30V	15V	20V	200mA	2MHz	30	TO22
2N1404	Ge	pnp	150mW	25V	20V	20V	300mA	2MHz	80 (min)	TO5
2N1404A	Ge	pnp	150mW	25V	15V	20V	300mA	4MHz	30 (min)	TO5
2N396A	Ge	pnp	150mW	30V	20V	20V	200mA	4MHz	30 ... 150	TO5
ASY26	Ge	pnp	150mW	30V	15V	20V	200mA	4MHz	30 ... 80	TO5
ASY26RT	Ge	pnp	150mW	30V	15V	20V	200mA	4MHz	30 ... 80	TO39
ASY27	Ge	pnp	150mW	25V	15V	20V	200mA	6MHz	30 (min)	TO5
ASY27RT	Ge	pnp	150mW	30V	15V	20V	200mA	6MHz	30 (min)	TO39
CK759	Ge	pnp	130mW	30V	15V	20V	200mA	1MHz	25	TO22
CK759A	Ge	pnp	130mW	30V	15V	20V	200mA	1MHz	25	TO22
CK760	Ge	pnp	130mW	30V	15V	20V	200mA	2MHz	30	TO22
CK760A	Ge	pnp	130mW	30V	15V	20V	200mA	2MHz	30	TO22
T3002	Ge	pnp	150mW	30V	20V	20V	200mA	4MHz	30 ... 150	TO5