Основные параметры биполярного транзистора SGSD100

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 130W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 25A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 300 (min)
Производитель: STE
Корпус: TOP3
Найти datasheet