Основные параметры биполярного транзистора SGSD210

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 130W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 25A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 15 (min)
Производитель: STE
Корпус: TOP3
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Матер.	Струк.	Pk	Uкб	Uкэ	Uэб	Iк	ft	hfe	Корпус
2N2512	Ge	pnp	150mW	70V	-	-	30mA	140MHz	40 (min)	TO33-1