Справка

Основные параметры биполярного транзистора SGSD93G

• Материал: Si
  
• Структура: npn
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 80W
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 200V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 12A
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 1K (min)
  
• Производитель: STE
  
• Корпус: TO220
  
• Найти datasheet