Основные параметры биполярного транзистора SGSF565

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 1300V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): ##
Производитель: STE
Корпус: TO3
Найти datasheet