|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора SGSF661Основные параметры биполярного транзистора SGSF661 - Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 250W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 850V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 30A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): ##
- Производитель: STE
- Корпус: TO3
- Найти datasheet

|
|