Основные параметры биполярного транзистора SS8550

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 1W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 1.5A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 85 ... 300
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: SAMSUNG
Корпус: TO92
Найти datasheet