|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора T1159Основные параметры биполярного транзистора T1159 - Материал: Si
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 10V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 140°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: PHILIPS
- Корпус: TO23
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | КорпусGA53104 |
Ge | pnp | 120mW | 10V | ## | ## | 50mA | 2.9MHz | 45 (min) | N/A | |
|
|
|