Основные параметры биполярного транзистора T1282

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 6V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 140°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 16MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 12 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): 14 pF
Производитель: PHILIPS
Корпус: TO1
Найти datasheet