Основные параметры биполярного транзистора T2015

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 45mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 10V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 1V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 1V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): 3 pF
Производитель: PHILIPS
Корпус: TO9
Найти datasheet