Справка

Основные параметры биполярного транзистора T2016

• Материал: Ge
  
• Структура: pnp
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 45mW
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 10V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10MHz
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 15 (min)
  
• Емкость коллекторного перехода (Cc): 3 pF
  
• Производитель: PHILIPS
  
• Корпус: TO9
  
• Найти datasheet