Основные параметры биполярного транзистора TBC558

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 500mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 75 ... 475
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: TOSHIBA
Корпус: TO92
Найти datasheet