Основные параметры биполярного транзистора TBF870

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 1.6W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 250V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 30mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 50 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): 2 pF
Производитель: TOSHIBA
Корпус: TO202
Найти datasheet