Основные параметры биполярного транзистора TEC9016G

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 400mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 4V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 4V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 25mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 72 ... 108
Емкость коллекторного перехода (Cc): 1.1 pF
Производитель: TOSHIBA
Корпус: TO92
Найти datasheet