Основные параметры биполярного транзистора TI602

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 500mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 75V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 7V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 7V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 300mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 1000
Емкость коллекторного перехода (Cc): 35 pF
Производитель: TI
Корпус: TO9
Найти datasheet