Основные параметры биполярного транзистора TI801

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 800mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 120V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 7V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 7V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 1.2A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 50 ... 150
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: TI
Корпус: TO5
Найти datasheet