Основные параметры биполярного транзистора TI803

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 360mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 100V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 7V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 7V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 60 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): 15 pF
Производитель: TI
Корпус: TO50-3
Найти datasheet