Основные параметры биполярного транзистора TIP115

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 50W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 60V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 4A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 750 (min)
Производитель: TI
Корпус: TO220
Найти datasheet