Основные параметры биполярного транзистора TIP541

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 4W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): ##
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 2A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 ... 200
Производитель: TI
Корпус: TO39
Найти datasheet