Основные параметры биполярного транзистора TIP605

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 60V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 1K ... 20K
Производитель: TI
Корпус: TO3
Найти datasheet