Основные параметры биполярного транзистора TIPL775A

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 200V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 8V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 8V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 60 ... 500
Емкость коллекторного перехода (Cc): 180 pF
Производитель: TI
Корпус: TO3
Найти datasheet