Основные параметры биполярного транзистора TIPL777B

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 180W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 1150V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 6V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 6V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 20A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 1K (min)
Производитель: TI
Корпус: TOP3
Найти datasheet