Основные параметры биполярного транзистора TP5127

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 3V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 3V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 15 ... 300
Емкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pF
Производитель: NSC
Корпус: TO226
Найти datasheet