|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора U2T501Основные параметры биполярного транзистора U2T501 - Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 30W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 20A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 2K (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: UNITRODE
- Корпус: TO66
- Найти datasheet

|
|