Основные параметры биполярного транзистора U2TD430

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 15W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 350V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 2A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 300 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): 100 pF
Производитель: UNITRODE
Корпус: TO202
Найти datasheet