Основные параметры биполярного транзистора UMD2N

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 50V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 56 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: ROHM
Корпус: SO6
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