Основные параметры биполярного транзистора UMT2003

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 250W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 850V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 7V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 7V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 30A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 5 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): 1N pF
Производитель: UNITRODE
Корпус: TO3
Найти datasheet