|
|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора UMZ2NОсновные параметры биполярного транзистора UMZ2N - Материал: Si
- Структура: p/n
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 50V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 150mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 120 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: ROHM
- Корпус: SO6
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| FMY1A |
Si | p/n | 100mW | 50V | - | - | 150mA | 140MHz | 120 (min) | SO6 | | FMY3A |
Si | p/n | 100mW | 50V | - | - | 150mA | 140MHz | 120 (min) | SO6 | | FMY4A |
Si | p/n | 100mW | 50V | - | - | 150mA | 140MHz | 120 (min) | SO6 | | IMZ1A |
Si | p/n | 100mW | 50V | - | - | 150mA | 140MHz | 120 (min) | SO6 | | IMZ2A |
Si | p/n | 100mW | 50V | - | - | 150mA | 140MHz | 120 (min) | SO6 | | UMY1N |
Si | p/n | 100mW | 50V | - | - | 150mA | 140MHz | 120 (min) | SO6 | | UMY3N |
Si | p/n | 100mW | 50V | - | - | 150mA | 140MHz | 120 (min) | SO6 | | UMZ1N |
Si | p/n | 100mW | 50V | - | - | 150mA | 140MHz | 120 (min) | SO6 | |
|
|
|