Основные параметры биполярного транзистора 2N5251

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 350W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 180V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 90A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 10 ... 40
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: KELTRON
Корпус: TO114
Найти datasheet