Основные параметры биполярного транзистора GS9013

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 625mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 64 ... 91
Производитель: GENERAL SEMI
Корпус: TO226AA
Найти datasheet