Основные параметры биполярного транзистора GT311A

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 12V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 2V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 2V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 70°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 15 ... 80
Емкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pF
Производитель: RUSSIA
Найти datasheet