Основные параметры биполярного транзистора GTM115B

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 50mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 20V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 20V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 30mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 80°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 ... 80
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: RUSSIA
Найти datasheet