Основные параметры биполярного транзистора KT339V

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 260mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 4V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 4V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 25mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 25 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): 2 pF
Производитель: RUSSIA
Найти datasheet