Основные параметры биполярного транзистора KT501E

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 350mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 300mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 80 ... 240
Емкость коллекторного перехода (Cc): 50 pF
Производитель: RUSSIA
Найти datasheet